웨이브로드가 질화갈륨(GaN) 에피택시 웨이퍼 국산화에 도전한다. 연내 국내 전력반도체 위탁생산(파운드리) 업체와 진행 중인 품질 평가를 끝내고 이르면 내년 초 양산·공급한다는 계획이다. 수입에 의존하던 전력반도체 소재를 국산화할 수 있을지 주목된다.

웨이브로드는 내년 초 GaN 에피택시 웨이퍼를 양산할 계획이라고 18일 밝혔다.

GaN 에피택시 웨이퍼는 GaN 전력반도체 핵심 소재다. 규소(Si)와 탄화규소(SiC) 웨이퍼 위에 전자가 이동하는 반도체 채널 영역에만 GaN 화합물을 얇고 균일하게 성장시킨 형태다. GaN 화합물은 1990년대 후반부터 발광소자(LD·LED)를 만드는 데 사용됐던 소재였으나, 고온 내성과 고효율 특성으로 차세대 전력반도체 분야에서 수요가 늘고 있다.

웨이브로드는 제품 양산을 위해 경기도 화성시에 1000 클래스 청정도를 갖는 300평 클린룸 구축을 완료했다. 생산능력은 4인치 월 2000장, 8인치 월 500장이다. 현재 복수의 고객사에 샘플을 공급해 양산을 위한 성능·품질 평가를 진행 중이다.

웨이브로드는 고주파 고출력 전력증폭 반도체에 필요한 4인치 SiC 웨이퍼 기반 GaN 에피택시 웨이퍼 양산을 시작으로, 고주파 저출력 전력증폭기 반도체용 8인치 Si 웨이퍼 기반 GaN 에피택시 웨이퍼로 제품군을 넓힐 계획이다. 능동전자주사배열(AESA) 레이더, 5세대 이동통신, 위성통신에 쓰이는 전력반도체 등을 겨냥했다. 또 전기차, 신재에너지 생산과 저장 시스템(ESS) 등에 필요한 전력변환 반도체용 GaN 에피택시 웨이퍼는 8인치 Si 웨이퍼를 기반으로 2026년 말 양산 예정이다.

웨이브로드는 LG이노텍 LED사업부 사업부장 출신인 송준오 대표가 2019년 말 설립했다. GaN 에피택시 웨이퍼는 기판과 기판 위 성장해야 할 소재가 달라 유기금속화학증착(MOCVD) 장비 운용 기술적 난도가 높은데, 웨이브로드는 LG이노텍에서 LED 발광소자용 GaN 에피택시 웨이퍼를 양산한 엔지니어를 보유한 게 강점이다. 확보한 특허만 누적 160여건에 달한다. 

박진형 기자 jin@etnews.com 

송준오 웨이브로드 대표는 “내년 상반기 전력증폭기 반도체용 제품을 시작으로 제품군을 확대해 국내 파운드리 업체뿐만 아니라 해외 시장을 공략해 나갈 계획”이라며 “GaN 에피택시 웨이퍼로 2026년 말까지 의미 있는 매출을 만들어내겠다”고 말했다.