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제품소개

GaN 에피택시 웨이퍼

GaN 에피택시 웨이퍼

전력반도체 및 microLED 디스플레이용
에피택시 웨이퍼 제공
- 성장기판 : Sapphire, SiC, Si
- 사이즈 : 4인치, 6인치, 8인치

GaN Power Epitaxy Wafer
Model Material Substrate 인치 Remark
RF GaN SiC 4인치, 6인치 C-doped GaN buffer (HR-GaN)
GaN SiC 4인치, 6인치 WLBFTM (Buffer-Free Thin GaN)
GaN, AIN SiC 4인치, 6인치 WLABTM (Thick AIN Buffer)
Power GaN Si 4인치, 6인치, 8인치 Middle/High Power HEMT
GaN Sapphire 4인치, 6인치, 8인치 Middle/High Power HEMT
GaN, AIN Sapphire 4인치 WLABTM (Thick AIN Buffer)
LED용 에피택시 웨이퍼
Model Wavelength Substrate 인치 Application
Blue LED 440~470nm Si, Sapphire 4인치, 6인치 microLED 디스플레이, BLU, Lightings
Green LED 510~540nm Si, Sapphire 4인치, 6인치 microLED 디스플레이
UVC LED 270~280nm Sapphire 4인치 Sterilizer

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