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제품소개

GaN 에피택시 웨이퍼

GaN 에피택시 웨이퍼

전력반도체 및 microLED 디스플레이용
에피택시 웨이퍼 제공
- 성장기판 : Sapphire, SiC, Si
- 사이즈 : 4인치, 6인치, 8인치

GaN Power Epitaxy Wafer
Model	Material	Substrate	인치	Remark
RF	GaN	SiC	4인치, 6인치	C-doped GaN buffer (HR-GaN)
	GaN	SiC	4인치, 6인치	WLBF^TM (Buffer-Free Thin GaN)
	GaN, AIN	SiC	4인치, 6인치	WLAB^TM (Thick AIN Buffer)
Power	GaN	Si	4인치, 6인치, 8인치	Middle/High Power HEMT
	GaN	Sapphire	4인치, 6인치, 8인치	Middle/High Power HEMT
	GaN, AIN	Sapphire	4인치	WLAB^TM (Thick AIN Buffer)

LED용 에피택시 웨이퍼
Model	Wavelength	Substrate	인치	Application
Blue LED	440~470nm	Si, Sapphire	4인치, 6인치	microLED 디스플레이, BLU, Lightings
Green LED	510~540nm	Si, Sapphire	4인치, 6인치	microLED 디스플레이
UVC LED	270~280nm	Sapphire	4인치	Sterilizer

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